當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器已針對(duì)新的AMD EPYC™ 9004系列處理器進(jìn)行了驗(yàn)證。隨著現(xiàn)代服務(wù)器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個(gè)CPU內(nèi)核的存儲(chǔ)器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴(kuò)展性。

據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個(gè)第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準(zhǔn)性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進(jìn)行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)，美光實(shí)現(xiàn)了每插槽378GB/s的峰值內(nèi)存帶寬，而第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)為189GB/s。這導(dǎo)致系統(tǒng)內(nèi)存帶寬增加了兩倍。

美光與AMD合作，評(píng)估了采用美光DDR4的第3代AMD EPYC處理器和采用 美光DDR5的第4代AMD EPYC處理器上的三種HPC工作負(fù)載（OpenFOAM、WRF和CP2K）。第4代AMD EPYC處理器平臺(tái)搭載美光DDR5，計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)(OpenFOAM) 性能提升2.4倍，天氣預(yù)報(bào) (WRF) 提升2.1倍，分子動(dòng)力學(xué)（CP2K）提升2.03倍。